有源器件和模拟电路基础 电路噪声分析基础 fT和fMAX 按比例缩小与短沟道效应 Scaling Down对RFIC设计的影响 其它工艺 参考文献[hide
2010-10-02 11:02
不断缩小，MOS器件面临一系列的挑战。例如短沟道效应（Short Channel Effect - SCE），热载流子注入效应（Hot Carrier Inject - HCI）和栅氧化层漏电等
2018-09-06 20:50
耗尽型的MOS场效应管制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入了大量的正离子，因此，即使栅极不加电压（UGS=0），由于静电感应，这些正离子产生的电场也能在P型衬底中“感应”出足够多的负电荷，形成
2015-06-15 18:03
Q1为N沟道增强型场效应管 该电路实际动作：当接通220V交流电，开关S为断开时，Q1导通，灯亮；当开关S闭合时，Q1截止，灯灭。问题：即然Q1为N沟道增强型
2010-11-16 12:28
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN
2012-07-06 16:30
1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。 为使N沟道场效应管能够正常工作，应在其栅源之间加负向电压，以保证耗尽层承受反向电压；在漏源之间加正向电压，以形成漏极电流。
2024-01-30 11:38
为正时，它充当增强型MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道MOSFET的源极接地，漏极连接到负载，当栅极施加正电压时，FET导通。N 沟道 MOSFET
2023-02-02 16:26
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN
2012-07-06 16:34
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN
2012-07-05 11:27
1 图中圆圈处，TFT 沟道中间那块金属的作用，既没有跟源级连，也没跟漏级连接。2 TFT 源级跟漏级短接的作用？图中圆圈处
2017-02-12 19:35
