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随着科学技术的发展,集成电路的集成密度不断地在提高,MOS晶体管器件的尺寸也逐年缩小, 当MOS管的沟道长度小到一定值之后,出现的短沟道效应将对器件的特性产生影响
2011-07-04 10:29
原文标题:PracticalAspectsandBodyDiodeRobustnessofa1200VSiCTrenchMOSFET原文作者:ThomasBasler原文发表在PCIMEurope2018,5–7June2018,NurembergSiIGBT和SiC沟槽MOSFET之间有许多电气及物理方面的差异,PracticalAspectsandBod
2023-03-31 10:48 英飞凌工业半导体 企业号
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2022-12-03 14:00
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