许多半导体器件在脉冲功率条件下工作，器件的温升与脉冲宽度及占空比有关，因此在许多场合下需要了解器件与施加功率时间相关的热特性；除了与功率持续时间外，半导体器件的瞬态热阻与器件材料的几何尺寸、比热容、热扩散系数有关，因
2019-05-31 07:36
你好，请让我知道一个CYPD3175-24LQX（CG3PA）规范的PKG热阻抗，θJA和θJC/CA。我在数据表上找不到它。谢谢， 以上来自于百度翻译 以下为原文Hello, Please
2018-11-16 14:49
作为参考电压或箝位电压。在相反的方向和低于他们的稳压击穿电压，VZ 稳压二极管展示高阻抗的电源和传导很少漏电流。然而，当稳压器上的电压大于稳压器上的电压时，随着稳压器上电压的增加，开始发生击穿。齐纳瞬态抑制
2022-04-27 15:26
介绍了一种通过了解控制带宽和输出滤波电容器特性来估算电源瞬态响应的简单方法。它利用以下事实：任何电路的闭环输出阻抗都是开环输出阻抗除以一再加上环路增益，或者简称为：图1以图形方式显示了这种关系，两个
2020-07-30 09:48
使用LTC4013充电，输入24V，5A充电，没有使用MPPT功能，输出接12V铅蓄电池。 目前现象是可以产生5A电流充电，但Vinfet比Vdcin小，导致MOS管没有进行低阻抗导通，比较热，请问有关INFET管脚正常工作的设置条件（电路按照应用电路设计）
2024-01-05 07:24
MOS管瞬态热阻测试（DVDS）失效品分析如何判断是封装原因还是芯片原因，有什么好的建议和思路
2024-03-12 11:46
是否带热拔插的电源接口，最好要加软启动电路？比如USB接口的，用于电源输入，经常热拔插，是否要额外加个软启动电路来避免过大的瞬态电流？
2019-10-08 10:56
`瞬态电压抑制器（Transient Voltage Suppressor）简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10-12秒量级的速度
2011-04-18 17:16
的可再生能源，而IGBT是光伏系统中主要的功率半导体器件，因此其可靠性对光伏系统有重要影响。IGBT模块的热特性是模块的重要特性之一，模块在退化过程中，热性能变化对于半导体模块的整体性
2020-12-10 15:06
，下面的示例中将使用此常数。 图7：IGBT瞬态热阻抗。图8：二极管瞬态热阻抗
2018-09-30 16:05
