一些功率半导体器件设计为在有限时间内承受一定量的雪崩电流，因此可以达到雪崩额定值。其他人会在雪崩开始后很快失败。性能差异源于特定的设备物理、设计和制造。
2021-06-23 14:28
欢迎场效应晶体管（FET）的爱好者们再度光临，阅读“了解MOSFET产品说明书”博客系列的第四部分！今天，笔者将谈论脉冲电流额定值、它们的计算方法以及在FET产品说明书的安全工作区图中是如何描绘它们的。
2022-02-06 09:18
由于无源元件均具有寄生参数，它们实际上会以不可预知的方式改变信号。本文分为3部分，这里为第1部分，讨论寄生电容的影响。##电容在生产过程中存在不一致的问题。一般而言，高
2014-01-26 11:37
电机驱动器IC（集成电路）是用于控制和驱动电机的专用芯片，它们包含用于放大电流、控制电机相序、调节速度和保护电路等功能。电机驱动器IC的绝对最大额定值是指在其数据手册中指定的极限条件下的电气参数
2024-02-05 14:31
在由多部分组成的工业物联网系列的第一部分中，我们将在更大的物联网框架内分解和探索边缘节点感知和测量功能的基本方面：传感、测量、解释和连接数据，并额外考虑电源管理和安全性。每个部
2023-02-02 11:34
第一部分，将重点谈一谈输入电源所需要的，流入降压稳压器输入电压 （VIN）引脚的电流。当研读数据表时（你始终必须阅读数据表！），最好关注输入电流的条件，而不要被专业术语搞糊涂。我们来看一看普通用户将会感兴趣的3个最重
2016-07-04 17:16
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12
当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，会造成击穿并引发雪崩击穿。
2022-05-16 15:05
本文是系列文章（混合信号系统接地，共2部分）的第2部分。第1部分（见参考
2013-08-26 09:29
当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时，自由电子被加速并带有很大的能量。这会导致碰撞电离，从而产生电子-空穴对。这种电子-空穴对呈雪崩
2022-04-19 15:10
