MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛使用的半导体器件，它在电子电路中扮演着开关和放大器的角色。MOSFET由四个主要部分组成：源极（Source）、
2024-09-18 09:58
源漏扩展结构（Source/Drain Extension,SDE）在控制 MOS 器件的短沟道效应中起到重要作用。SDE（源漏
2025-05-27 12:01
在各类电路图中，我们经常可以看到MOSFET在作开关时，其漏极和源极之间有一个寄生二
2023-11-14 16:04
在电路中常会遇到漏极开路（Open Drain）和集电极开路（Open Collector）两种情形。漏极开路
2017-11-09 12:11
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛使用的半导体器件，它利用电场来控制电流的流动。在MOSFET中，漏极电压（Vd）是指漏
2024-09-18 09:52
源型与漏型是PNP与NPN放大电路的电流流向的一种形象化表述，最初是由日系PLC引入这样的简称，在日系语系用中文字表达的一种方式，在原来的中国学校教育中并不怎么使用“
2018-08-08 17:37
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）的连续漏极电流是指在MOS管连续工作状态下，从漏
2024-09-18 09:56
通过漏极控制开关HPA的典型配置如图1所示。一个串联FET开启输入HPA的高电压。控制电路需要将逻辑电平脉冲转换为更高电压以使串联FET导通。
2020-05-29 09:28
二极管，作为电子电路中的基础元件，其好坏的判断对于电路的稳定性和可靠性至关重要。本文将详细阐述二
2024-05-21 16:40
一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。
2019-06-19 15:13
