源极和漏极的区别 源极和漏
2023-12-07 15:48
MOS芯片是一种常见的电子器件，其中MOS管（MOSFET）是一种常用的三端器件，包括源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。了解MOS管的
2024-01-10 15:34
（Source, S）和漏极（Drain, D）是两个关键的电极，它们与栅极（Gate, G）共同构成了MOS管的基本结构。以下是对MOS管源极和
2024-07-23 14:21
缓冲电路来降低线路电感，这是非常重要的。 首先，为您介绍 SiC MOSFET 功率转换电路中，发生在漏极和
2023-06-21 08:35
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛使用的半导体器件，它在电子电路中扮演着开关和放大器的角色。MOSFET由四个主要部分组成：源极（Source）、
2024-09-18 09:58
共漏极放大电路 共漏极放大电路如图4-12 所示。由图可见，共
2009-09-16 10:01
门电路的输出状态，我们需要了解以下几个关键方面： CMOS晶体管的工作原理： N型晶体管（NMOS）：在栅极电压高于源极电压时导通，低于
2024-07-30 14:52
mos管源极和漏极的区别 MOSFET，金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种晶体管，其目的是通过改变其栅极和源极端子之
2023-08-25 14:49
源极简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电.栅极由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极。漏极在两个高掺杂的P区中间，夹着一
2017-11-23 16:20
漏极外接二极管（Drain-Source Diode，简称D-S二极管）在MOSFET电路
2024-01-31 13:39
