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型号：FT60<b class='flag-s-7'>F11F</b>-MRB 品牌：泛海微

的芯片——FMD辉芒微FT60F11F-MRB封装MSOP10主控芯片。一、FMD辉芒微FT60F11F-MRB封装MSOP10主控芯片的性能特点FMD辉芒微FT6

2023-11-27 21:18 泛海微电子 企业号

型号：FT60<b class='flag-s-7'>F11F</b>-MRB 品牌：

FT60F11F-MRB是一款精简指令集的I/O型8位单片机，指令周期2T/4T可选。其特点为宽工作电压范围1.9V至5.5V，支持外部晶振16MHz或32KHz模式，IO不但可编程灌电流和拉电流

2022-07-15 10:50 捷尚微辉芒微MCU单片机 企业号

型号：无钥匙<b class='flag-s-7'>进入</b>系统和无钥匙启动系统PEPS 品牌：

        经纬恒润的无钥匙进入及启动系统简称 PEPS (Passive Entry Passive Start) 系统，采用 RFID(无线射频识别

2024-11-29 11:12 经纬恒润 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>11</b>NM65N-VB TO220<b class='flag-s-7'>F</b> 品牌：微碧

### 11NM65N-VB TO220F 产品简介11NM65N-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装技术。该器件具有

2024-07-05 15:10 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>11</b>N65C3-VB TO220<b class='flag-s-7'>F</b> 品牌：微碧

### 11N65C3-VB TO220F 产品简介**产品概述**：11N65C3-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用Plannar技术制造，具有低导通电阻和高电压承受能力。这款

2024-07-05 14:42 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：2N06L<b class='flag-s-7'>11</b>-VB TO262<b class='flag-s-7'>F</b> 品牌：微碧

### 产品简介详**VBsemi 2N06L11-VB TO262F** 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术制造。该器件具有高电流处理能力和低导通电阻，适用于要求高效率和高

2024-07-11 15:10 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：NBN15-<b class='flag-s-7'>F11</b>-E0 品牌：

参数表节选：的技术参数  NBN15-F11-E0通用规格开关功能常开 (NO)输出类型NPN额定工作距离15 mm安装非齐平输出极性DC确保操作距离0 ... 12,15 mm衰减系数

2022-10-20 09:26 上海冠宁科技发展有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>11</b>NM60ND-VB TO220<b class='flag-s-7'>F</b> 品牌：微碧

## 产品简介：VBsemi的MOSFET产品11NM60ND-VB是一款单N沟道MOSFET，采用了Plannar技术，具有650V的漏极-源极电压（VDS）和12A的漏极电流（ID）能力。该产品

2024-07-05 15:06 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>11</b>NM50N-VB TO220<b class='flag-s-7'>F</b> 品牌：微碧

### 产品简介VBsemi的11NM50N-VB TO220F是一款单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，具有550V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），3V

2024-07-05 15:02 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>11</b>N80C3-VB TO220<b class='flag-s-7'>F</b> 品牌：微碧

## 产品简介：VBsemi的MOSFET产品11N80C3-VB是一款单N沟道MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有800V的漏极-源极电压（VDS）和15A的漏极电流（ID）能力

2024-07-05 14:49 微碧半导体VBsemi 企业号