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2018-11-02 18:48
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2018-11-02 18:47
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2018-11-02 18:47
Vcore 电源、1.05VCC I/O 电源和 DDR3L/DDR4 内存电压轨。为大幅提高功率密度和热性能,采用了 5mm x 6mm NEXFET 电源块
2021-03-08 11:35
,两个 CSD87350Q5D 电源块 MOSFET 可实现最高效率。该设计解决方案全部采用陶瓷电容器以便装入最小电路板面积。主要特色功率密度高自包含 - 无需借助外部电容器组件最高高度为 9.4mm小尺寸解决方案
2018-11-12 17:09
描述PMP10740 为单相同步降压转换器,在输入电压为 5 V 时提供电流为 35 A 的额定输出电压 1 V。该设计使用 LM27403 同步降压控制器和两个 CSD87350Q5D 电源块
2018-08-27 09:45
描述PMP8000 为单相同步降压转换器,在输入电压为 12V 时提供电流为 30A 的额定输出电压 5V。该设计使用 LM27403 同步降压控制器和 CSD87350Q5D 电源块 MOSFET
2018-12-20 09:35
6mm NEXFET 电源块 MOSFET。特性• 设计支持来自 Vbatt 的 9V 到 20V 输入电压• 适用于 Ivy Bridge 的小型高密度电源解决方案
2022-09-22 07:32
能,采用了 TI 的 5mm x 6mm NEXFET 电源块 MOSFET。特性• 设计支持来自电池电压 (Vbatt) 的 9V 到 20V 输入• 适用于 Ivy Bridge 的小型高密度
2015-04-15 10:39
PMP8000 为单相同步降压转换器,在输入电压为 12V 时提供电流为 30A 的额定输出电压 5V。该设计使用 LM27403 同步降压控制器和 CSD87350Q5D 电源块 MOSFET,在与 250nH 铁
2009-07-17 16:00