IGBT和MOSFET在对饱和区的定义差别 IGBT和MOSFET是传输电力和控制电流的重要电子器件。它们在许多电力电
2024-02-18 14:35
由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA，但耐压能力没有IGBT强。
2023-08-25 10:07
IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率M
2023-02-22 15:52
东芝光耦 IGBT/MOSFET，List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (IGBT / MOSFET
2012-03-16 13:43
、详实、细致的比较分析。 一、基本概念 MOSFET和IGBT都是用于功率电子领域的半导体器件。它们的主要区别在于结构和工作原理。 MOSFET：MOSFET是一种由金
2023-12-15 15:25
MOSFET与IGBT的区别
2023-11-27 15:36
新型预驱动光耦使用外部P沟道和N沟道互补的MOSFET作为缓冲器，来控制中大电流IGBT和MOSFET。
2020-03-11 08:19
由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA，但耐压能力没有IGBT强。
2018-12-03 11:21
由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA，但是前提耐压能力没有IGBT强。
2018-07-24 10:25
MOSFET和IGBT是当
2010-12-31 10:31
