由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但耐压能力没有IGBT强。
2018-12-03 11:21
由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。
2018-07-24 10:25
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2017-12-21 09:07
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2023-02-07 16:39
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2016-11-04 20:43
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2022-05-07 17:23
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2021-02-08 17:38
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2024-02-01 13:59
为了理解IGBT进入退饱和的过程机理,我们有必要简单比较下MOSFET和IGBT结构上的区别:简单来看,IGBT在MOSFET
2023-01-17 13:59