1.MOSFET的速度比晶体管或IGBT快。2.MOSFET的过电流适中；晶体管是一个流控流型的，要使集电极上的电流增大
2021-10-29 08:28
应用中使用的功率IGBT和MOSFET。 输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。 该光电耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定功率高达800 V / 50 A的
2019-10-30 15:23
本帖最后由 xuehumaiya 于 2016-7-15 10:29 编辑 N沟道MOSFET PowerTrench®[N-Channel PowerTrench® MOSFET]常用管...................
2013-03-01 08:23
控人机界面方案商的工程师（熟悉通信互联，并不熟悉执行部分和元器件构成），本文提供IGBT和MOSFET基础知识和工程选型要领。一般认为IGBT个大功率大，
2022-06-28 10:26
的问题，如果从系统的电压、电流、切换功率等因素作为考虑，可以总结出以下几点：详细的讲解，见附件。。。。。。MOSFET和IGBT 硬件驱动电路对比讲解1、MOSFE作为大功率器件的驱动方案 2、
2021-03-02 13:47
（Mosfet和 IGBT）把直流电源变为交流型电源；通过变压器变出一定的电压，再整流后得到我们想要的目标电源。为了适应输入电压的波动范围，我们通过电压反馈和电流反馈来调节控制开关导通与关断信号的占空比
2012-07-04 17:05
（Mosfet和 IGBT）把直流电源变为交流型电源；通过变压器变出一定的电压，再整流后得到我们想要的目标电源。为了适应输入电压的波动范围，我们通过电压反馈和电流反馈来调节控制开关导通与关断信号
2012-07-06 15:47
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-06 15:56
）,应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为：GTO<GTR<IGBT<MOSFET 另外，设计电路中选择功率器件不能只考虑频率，还有如开关损耗、驱动电路的设计、电
2012-07-04 17:14
