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利用运放反馈与基准电压生成任意大小的直流电流是一个简单、直接的过程。但是，假设须要生成一些任意数量（以N为例）的电流沉/源（current sink/source），而每个电流
2020-09-19 10:12
利用运放反馈与基准电压生成任意大小的直流电流是一个简单、直接的过程。但是，假设须要生成一些任意数量（以N为例）的电流沉/源(current sink/source)，而每个电流
2023-04-15 09:25
正如上一篇系列文章所述，利用运放反馈与基准电压生成任意大小的直流电流是一个简单、直接的过程。但是，假设须要生成一些任意数量（以N为例）的电流沉/源(current sink/source)，而每个
2021-11-10 09:40
利用运放反馈与基准电压生成任意大小的直流电流是一个简单、直接的过程。但是，假设须要生成一些任意数量（以N为例）的电流沉/源（current sink/source），而每个电流
2016-08-14 15:42
正如上一篇系列文章所述，利用运放反馈与基准电压生成任意大小的直流电流是一个简单、直接的过程。但是，假设须要生成一些任意数量（以N为例）的电流沉/源(current sink/source)，而每个
2017-04-18 10:45
正如上一篇系列文章所述，利用运放反馈与基准电压生成任意大小的直流电流是一个简单、直接的过程。但是，假设须要生成一些任意数量（以N为例）的电流沉/源(current sink/source)，而每个
2018-09-03 15:31
图1：灌电流网络最终MOSFET（金氧半场效晶体管）源电压VS以及RSET电阻决定着各柱上的灌电流（sink current）；通过去除来自外部电流沉柱的反馈(即所有N
2022-11-17 07:20
隙调节功能有助于确保 3.8 Vdc 至 30 Vdc 电源电压范围内的操作稳定。这些传感器能够实现连续的 20 mA 电流沉输出并可在最高达 50 mA 的电流下循环。其可在 3.8 V 电压
2019-01-07 17:59
AX4011 四与非门是由N、P 增强型晶体管构成的互补MOS（CMOS）单片集成电路。该与非门有相等的电流源和电流沉电流能力（驱动能力），并且符合B 类标准门的输出驱
2010-08-10 09:52
一些激光弯沉测定仪的电源为锂电池，光电流的增加或减少与硅光电池测头的变动距离有密切关系。光电流少时。落入小孔的激光量也少，说明路面回弹变形；而光电流大时，落入小孔且射
2019-11-06 09:10
