去掉和不去掉均有浮电。请问这个浮电是怎么来的，另外对于单端输入超过5V的信号，是否不能直接采用外部高阻值电阻分压后直接输入给AIN1而必须用外部高精度运放做buffer处理后输入？
2024-11-22 08:38
电芯是否为高质量的新电芯我们都知道电芯是整个产品的核心部分，也是唯一的储存电量部件。电芯的质量好坏在整个产品中起着决定性的作用。而目前很多产品都是采用标高价，低价卖的手
2012-10-16 17:23
如题，MCU运行时的状态不是易失的吗，那每次上电时应该就是初始状态。为什么还需要上电复位电路来在MCU上电时，给它复位呢？
2018-04-12 09:19
如何利用一颗N沟道MOS管来实现上电瞬间输出高电压？
2022-02-15 06:03
应用程序: 本样本代码使用 M031BT 来做蓝牙电牙刷溶液 。 BSP 版本: M031_Series_BSP_CMSIS_V3.05.000 硬件: nuvoton 核_M031BT 蓝牙
2023-08-29 07:40
是2的多少次方，就可以用左移位来实现。而衰减器就对应着除法/右移了。3负阻振荡器 VS 环形振荡器模电里面经常需要输出一路正弦信号（如本地振荡），这就可以用电容/电感三端式振荡来实现，但是由于晶体输出
2019-06-12 04:20
电里的放大器就是把信号放大N倍，对应数电里面的乘法，当然如果乘的系数是2的多少次方，就可以用左移位来实现。而衰减器就对应着除法/右移了。负阻振荡器 VS 环形振荡器 模电
2024-03-01 08:43
今年电赛的F题大家都有什么思路啊，可以交流一下
2017-08-10 07:26
buf buff634出来的信号严重失真，ths3092通+-15电后发烫，第一张图是他ths3092 1引脚的输出信号，求大侠们指教。
2024-08-30 07:47
MidLayer（中间层）即正片层来做的话，必须采用敷铜的方法才能实现，这样将会使整个设计数据量非常大，不利于数据的交流传递，同时也会影响设计刷新的速度，而使用内电层来做，则只需在相应的设计规则中设定
2011-12-26 14:28
