功率器件作为电力电子装置的核心器件，其在设计使用过程中的鲁棒性能一直是工程师关心的问题，雪崩能力其中一个很重要的指标，如何理解雪崩，单次
2023-02-06 13:54
一些功率半导体器件设计为在有限时间内承受一定量的雪崩电流，因此可以达到雪崩额定值。其他人会在雪崩开始后很快失败。性能差异源于特定的设备物理、设计和制造。
2021-06-23 14:28
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12
功率MOSFET的雪崩损坏有三种模式：热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通损坏。
2024-02-25 16:16
本文通过单项实验对比与分析，选取原生HgCdTe材料，对其进行PIN结构雪崩器件的全过程工艺模拟，形成大面积的雪崩Ⅰ区。采用微分霍尔、微分少子寿命等测试手段进行材料表征，评估获得了关键
2024-03-15 09:38
本文首先介绍了雪崩光电二极管的概念和主要特性然后简单分析了工作原理最后介绍雪崩光电二极管的应用和结构。
2019-08-01 10:10
在电子工程领域，场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）作为一种重要的半导体器件，广泛应用于各种电子设备和电路中。其中，功率MOS场效应管（MOSFET）因其独特的性能
2024-05-31 17:30
雪崩二极管是利用半导体PN结中的雪崩倍增效应及载流子的渡越时间效应产生微波振荡的半导体器件。如果在二极管两端加上足够大的反向电压，使得空间电荷区展宽，从N+P结处一直展宽到IP+结处。
2019-12-06 13:50
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。
2024-02-23 09:38
IGBT关断时，如果关断过快，di/dt过大会导致Vce电压过大超过断态电压Uces时就有可能导致静态雪崩击穿。
2021-05-15 14:51
