不同，对测量结果的影响非常大。IAR和EAR的测试电路和单脉冲雪崩电流以及单脉冲雪崩能量一样，中、低功率MOSFET使用去耦测量电路，高压功率MOSFET使用非去耦测量电路，只是在测试过程中使用多个重复
2017-09-22 11:44
在了解雪崩击穿和齐纳击穿的区别之前我们还是要先搞懂什么叫击穿！击穿就是电介质在足够高的电场强度作用下瞬间失去介电功能的现象。是电介质击穿形式之一。在电场作用下，电介质内少量自由电子动能增大，当电场
2022-03-27 10:15
最大，沿p区逐渐减小。它的强度在？区减小，最终在p+层的末端消失。 即使吸收单个光子也会导致大量电子-空穴对的形成。这称为内部增益过程。 雪崩倍增是指由于电荷载流子碰撞而形成过量的
2023-02-06 14:15
雪崩二极管如何帮助防止过电压？雪崩二极管的噪声是如何产生的？
2021-06-18 09:24
雪崩二极管的原理雪崩二极管的作用
2021-03-10 07:05
` 本帖最后由 gk320830 于 2015-3-8 04:33 编辑 雪崩三极管产生的电流跟什么有关系？跟Icmax 有关吗 ？它主要由什么决定？`
2011-08-16 03:13
我需要做一个高斯脉冲发生器，用到雪崩三极管，要求如下：产生时域脉宽0.5ns的高斯脉冲，幅值100V-1000V，由于脉冲的时间间隔比较小，所以很难通过放大器什么的来实现。请大家推荐几个雪崩三极管来实现这个。。。
2014-08-28 11:02
看懂MOSFET数据表，第1部分—UIS/雪崩额定值自从20世纪80年代中期在MOSFET 数据表中广泛使用的以来，无钳位电感开关 (UIS) 额定值就已经被证明是一个非常有用的参数。虽然不建议在
2022-11-18 06:39
求大神相助，Multisim里面雪崩晶体管的过压击穿怎么放着那，当我设的电压已经大于了Vcbo滞后还是不见晶体管导通。
2014-08-08 10:42
为了使他们的产品看起来更吸引人而玩儿的文字游戏所糊弄。看懂MOSFET数据表，第1部分—UIS/雪崩额定值自从20世纪80年代中期在MOSFET 数据表中广泛使用的以来，无钳位电感开关 (UIS
2018-09-05 15:37
