功率器件作为电力电子装置的核心器件，其在设计使用过程中的鲁棒性能一直是工程师关心的问题，雪崩能力其中一个很重要的指标，如何理解雪崩，单次
2023-02-06 13:54
在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的
2010-12-30 10:12
不同，对测量结果的影响非常大。IAR和EAR的测试电路和单脉冲雪崩电流以及单脉冲雪崩能量一样，中、低功率MOSFET使用去耦测量电路，高压功率MOSFET使用非去耦测量电路，只是在测试过程中使用多个重复
2017-09-22 11:44
雪崩击穿,雪崩击穿是什么意思 在材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空
2010-02-27 11:49
什么是雪崩击穿？单脉冲雪崩与重复雪崩有何不同？雪崩击穿失效机理是什么？ 雪崩击穿是指在电力系统中，由于过电压等原因导致绝
2023-11-24 14:15
当功率器件承受的雪崩耐量超过极限后，芯片最终会损坏，然而单脉冲雪崩与重复雪崩的失效机理并不相同。
2024-02-25 15:48
当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时，自由电子被加速并带有很大的能量。这会导致碰撞电离，从而产生电子-空穴对。这种电子-空穴对呈
2023-02-13 09:30
雪崩击穿的概念 如何区别齐纳击穿和雪崩击穿 雪崩击穿是可逆的吗？ 雪崩击穿是电气工程领域中的一个重要概念，它是指当高压电力系统中的绝缘体遭受较高电压的冲击时，导致电流通
2024-03-26 16:12
在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的
2011-09-02 10:49
，半导体材料中的载流子在晶格中发生碰撞，产生大量的电子-空穴对，这些电子-空穴对又会继续与晶格中的原子发生碰撞，产生更多的电子-空穴对，形成一个正反馈过程，最终导致半导
2023-12-30 17:06
