据日本研究人员报告,通过减少碳污染来避免碳污染源导致的“迁移率崩溃”,氮化镓(GaN)的电子迁移率性能创下新高 。
2024-03-13 10:51
摘要:栅极控制能力是决定氮化镓高电子迁移率晶体管性能的关键因素。然而在金属-氮化镓界面,金属和半导体的直接接触会导致界面缺陷和固定电荷,这会降低氮化镓高电子迁移率晶体管
2023-05-25 16:11
和更大跨导的短沟道场效应器件。一般可以通过增加沟道掺杂浓度来实现。由于沟道区是对体半导体材料的掺杂而形成的,多数载流子与电离的杂质共同存在。多数载流子受电离杂质散射,从而使载流子迁移率减小,器件性能降低。
2025-05-15 17:43
HEMT(High Electron Mobility Transistor),高电子迁移率晶体管。这是一种异质结场效应晶体管,又称为调制掺杂场效应晶体管(MODFET)、二维电子气场效应晶体管(2-DEGFET)、
2022-05-09 10:30
地传导电子。2DEG具有高导电性,部分原因是由于电子被困在界面处的非常细小的区域,从而将电子的迁移率从未施加应力前约1000 平方厘米/ V·s,增加到2DEG区域中的
2023-02-10 11:05
是当时当时最快的晶体管,但Mimura和其他工程师希望通过增强电子迁移率(使电子能够快速移动通过半导体材料)来使其变得更快。
2019-12-28 09:37
英国斯旺西大学和塞尔维亚尼斯大学的研究人员声称他们首次制造出氮化镓(GaN)磁性高电子迁移率晶体管(MagHEMT)。
2018-09-23 10:45
12月6日至9日美国加利福尼亚州的IEEE半导体接口专家会议(SISC2017)上,日本富士通公司及其子公司。
2017-12-22 09:05
教授李清庭做了“GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管”的主题报告。
2023-12-09 14:49
Wolfspeed的CGH55030F1/CGH55030P1是专门为高效率而设计氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT);高增益和宽带宽性能;促使CGH55030F1/CGH55030P1
2022-09-28 13:45