CRE的CGH09120是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高效率、高增益和宽带能力，这使得CGH09120理想的MC-GSM，WCDMA和LTE放大器应用。晶体管提供在陶瓷/金属法兰封装中。
2018-08-14 08:00
电子发烧友网站提供《CG2H80015D氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)规格书.pdf》资料免费下载
2024-09-04 11:27
Cree 的 CGHV1F006S 是一种无与伦比的氮化镓 （GaN） 高电子迁移率晶体管 （HEMT） 专为高效率、高增益和宽而设计带宽功能。该器件可部署为 L、S、C、X 和 Ku 波段放大器
2023-07-28 17:47
FHX13LG，FHX14LG是一种超高电子迁移率晶体管（超HEMTTM），用于一般目的，超低噪声和高增益放大器在2-18GHz频率范围内。该器件被封装在成本有效、低寄生、密封的金属陶瓷封装中，用于大容量电信、TVRO、VSAT或其他低噪声应用。
2018-08-15 08:00
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2022-06-24 15:47
FHX76LP是为DBS应用而设计的低噪声超HEMT产品。这个设备使用了一个小的陶瓷封装，它是为高容量成本驱动的需求而优化的。
2018-08-14 08:00
CGHV40200PP-AMP1
2023-08-03 15:02
以掺杂SnO 2 薄膜为例, 推导了薄膜上透射光的消光系数与薄膜内极化电子数和极化电子迁移率的关系式。得出当环境气氛中待测气体的浓度变化时, 将导致穿过薄膜的光的透射率
2009-07-13 11:15
CREE的CGH40045是一个不匹配的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。CGH400 45，从28伏轨道运行，提供了一个通用的，宽带解决方案，各种射频和微波应用。GaN HEMT提供高效率、高增益和宽带宽的能力，使得CGH400 45适合线性和压缩
2018-08-14 08:00
本课题采用宽带平衡式电路，选用日本富士通公司低噪声高电子迁移率的管芯FHX45X，利用小信号模型s参量法，自行设计了3dB耦合电桥，独立进行电路的输入输出匹配，使放大器工作在低噪声高增益区。
2017-08-29 14:48
