什么是迁移率μ？载流子迁移率的测量方法有哪几种？
2021-04-09 06:45
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27
TFT有源矩阵液晶显示是可以实现活动视频图象显示的液晶显示，但是，在非晶硅薄膜上制作的有源矩阵TFT由于其电子迁移率低，而不得不将器件面积作得稍大，因此在很小的像素面积上占据了不少比例，使像素的开口
2018-11-16 16:08
迁移率不同，NPN中的基区少子是电子，迁移率大（1350左右）；PNP的基区少子是空穴（480左右）。所以同样的结构和尺寸的管子，NPN比PNP快。所以在双极工艺中，是以作NPN管为主，PNP都是在
2019-03-02 06:00
氮化镓（GaN）- 宽带隙（WBG）材料• GaN HEMT-高电子迁移率晶体管，代表着电力电子技术的重大进步• 用于更高的工作频率• 提高效率• 与硅基晶体管相比，功率密度更高
2023-09-07 07:43
=CVdd/Ion）增加或者器件的开关速度减小。由于InAs和GaAs的电子迁移率高于Si的电子迁移率，Ge和InSb的空穴迁移
2018-10-19 11:08
使用RHEED density优化的MBE growth conditions, 生长高迁移率的GaAs/AlGaAs inverted-HEMT
2014-07-28 17:28
创纪录的载流子迁移率。这些有机薄膜晶体管及其处理方法提供了一系列未来的电子应用。 AramAmassian教授在阿卜杜拉国王科技大学的研究小组与伦敦帝国理工学院物理系
2012-07-03 15:57
CGHV40180是款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。具备前所未有的输入，能够在DC-2.0GHz范围之内提供最好的的瞬时宽带性能。与硅或砷化镓相比较，CGHV40180具有更加优异
2024-01-02 12:05
。这就使得MOSFET在SiC功率电子器件中具有重要的意义。2000年研制了国内第一个SiCMOSFETt31。器件最大跨导为0.36mS/mm，沟道电子迁移率仅为14cm2/(V·s)。反型层
2017-06-16 10:37
