什么是迁移率μ?载流子迁移率的测量方法有哪几种?
2021-04-09 06:45
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比,这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27
率达80%以上的多晶硅TFT有源矩阵,即P-TFT-LCD。多晶硅的电子迁移率比非晶硅的 电子迁移率高一个数量级,因此器
2018-11-16 16:08
氮化镓(GaN)- 宽带隙(WBG)材料• GaN HEMT-高电子迁移率晶体管,代表着电力电子技术的重大进步• 用于更高的工作频率• 提高效率• 与硅基晶体管相比,功
2023-09-07 07:43
迁移率不同,NPN中的基区少子是电子,迁移率大(1350左右);PNP的基区少子是空穴(480左右)。所以同样的结构和尺寸的管子,NPN比PNP快。所以在双极工艺中,是以作NPN管为主,PNP都是在
2019-03-02 06:00
CGHV40180是款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。具备前所未有的输入,能够在DC-2.0GHz范围之内提供最好的的瞬时宽带性能。与硅或砷化镓相比较,CGHV40180具有更加优异
2024-01-02 12:05
用于高频电路。砷化镓组件在高频、高功率、高效率、低噪声指数的电气特性均远超过硅组件,空乏型砷化镓场效晶体管(MESFET)或高电子迁移率晶体管(HEMT/PHEMT),
2019-07-29 07:16
。这就使得MOSFET在SiC功率电子器件中具有重要的意义。2000年研制了国内第一个SiCMOSFETt31。器件最大跨导为0.36mS/mm,沟道电子迁移率仅为14cm2/(V·s)。反型层
2017-06-16 10:37
=CVdd/Ion)增加或者器件的开关速度减小。由于InAs和GaAs的电子迁移率高于Si的电子迁移率,Ge和InSb的空穴迁移
2018-10-19 11:08
使用RHEED density优化的MBE growth conditions, 生长高迁移率的GaAs/AlGaAs inverted-HEMT
2014-07-28 17:28