据日本研究人员报告，通过减少碳污染来避免碳污染源导致的“迁移率崩溃”，氮化镓（GaN）的电子迁移率性能创下新高 。
2024-03-13 10:51
沟道有效迁移率（µeff）是CMOS器件性能的关键参数。传统测量方法在高k介质、漏电介质与高速应用中易出现误差。本文介绍了UFSP（Ultra-Fast Single Pulse）技术如何准确提取迁移率，克服这些挑战。
2025-05-19 14:28
载流子迁移率测量方法总结 0 引言 迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数，它决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。已有很多文章对载流子迁
2009-11-03 10:44
在高k金属栅之外，另一种等效扩充的方法是增加通过器件沟道的电子或空穴的迁移率。表2.5列举了一些提高器件载流子迁移率的手段及其对 PMOS或者 NMOS的作用。
2025-05-30 15:19
什么是迁移率μ？载流子迁移率的测量方法有哪几种？
2021-04-09 06:45
摘要：栅极控制能力是决定氮化镓高电子迁移率晶体管性能的关键因素。然而在金属-氮化镓界面，金属和半导体的直接接触会导致界面缺陷和固定电荷，这会降低氮化镓高电子迁移率晶体管
2023-05-25 16:11
前言 载流子输运就是求电流密度相关。目录 前言 平均自由时间 & 散射概率 平均自由时间 & 迁移率 平均自由时间 & 电导率 迁移率-温度关系 电阻率-温度关系 轻掺
2023-02-27 10:34
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49
在半导体中，除了能带宽度外，一个重要的物理量是电荷载流子(电子和空穴)的迁移率。在本教程中，我们将研究霍尔效应，这使我们能够实验性地确定半导体中的这一物理量。电荷载流子迁移率在本篇文章中，我们将采用
2024-10-21 12:00 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
`Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。 CGH40010，正在运行从28伏电压轨供电，提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN
2020-12-03 11:51
