和更大跨导的短沟道场效应器件。一般可以通过增加沟道掺杂浓度来实现。由于沟道区是对体半导体材料的掺杂而形成的，多数载流子与电离的杂质共同存在。多数载流子受电离杂质散射，从而使载流子
2025-05-15 17:43
沟道有效迁移率（µeff）是CMOS器件性能的关键参数。传统测量方法在高k介质、漏电介质与高速应用中易出现误差。本文介绍了UFSP（Ultra-Fast Single Pulse）技术如何准确提取迁移率，克服这些挑战。
2025-05-19 14:28
在高k金属栅之外，另一种等效扩充的方法是增加通过器件沟道的电子或空穴的迁移率。表2.5列举了一些提高器件载流子迁移率的手段及其对 PMOS或者 NMOS的作用。
2025-05-30 15:19
摘要：栅极控制能力是决定氮化镓高电子迁移率晶体管性能的关键因素。然而在金属-氮化镓界面，金属和半导体的直接接触会导致界面缺陷和固定电荷，这会降低氮化镓高电子迁移率晶体管
2023-05-25 16:11
在半导体中，除了能带宽度外，一个重要的物理量是电荷载流子(电子和空穴)的迁移率。在本教程中，我们将研究霍尔效应，这使我们能够实验性地确定半导体中的这一物理量。电荷载流子迁移率在本篇文章中，我们将采用
2024-10-21 12:00 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
，也就是说，这些元素增加了本征半导体材料电导率。该掺杂材料表现出的两个独特之处是固态电子学的基础。这两个属性是:1。通过掺杂的多少、
2023-11-13 09:36
控制外延层的掺杂类型和浓度对 SiC 功率器件的性能至关重要，它直接决定了后续器件的比导通电阻，阻断电压等重要的电学参数。
2022-04-11 13:44
本文介绍了硅掺杂其他元素的目的、分凝现象、电阻率与掺杂浓度之间的关系、共掺杂
2024-04-07 09:33
电阻率和电导率成倒数关系，也就是电导率与电阻率互为倒数关系。即电导
2019-12-09 08:45
基于InP基多层异质InGaAs探测材料体系，采用分子束外延技术开展了大面积均匀、低掺杂浓度吸收层InGaAs外延材料。所生长的In0.53Ga0.47As外延材料本底电子浓度
2020-06-24 09:50
