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型号：CMPA0527005F 品牌：
CMPA0527005F，CREE/科锐，5W, 0.5 - 2.7 GHz, 50 V,高电子迁移率晶体管CMPA0527005F，CREE/科锐，5W, 0.5 - 2.7 GHz, 50 V
2023-10-17 16:12 深圳市金和信科技有限公司 企业号
型号：CGHV59070P 品牌：
CGHV59070 是内部匹配的；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGHV59070；从 50 伏电压轨运行；提供一般用途；适用于各种射频和微波应用的宽带解决方案。GaN
2022-06-27 14:11 立年电子科技 企业号
型号：FHX35X 品牌：
FHX35X 型号简介Sumitomo的FHX35X是一种高电子迁移率晶体管（HEMT）用于一般用途，在2到18GHz频率范围。此设备非常适合电信、DBS、TVRO、VSAT或其他低噪声
2023-12-05 10:40 立年电子科技 企业号
型号：CMPA0060025F 品牌：
CMPA0060025 是一种基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移
2022-06-27 16:37 立年电子科技 企业号
型号：CGHV96130F 品牌：
CGHV96130F 是碳化硅 (SiC) 基板上的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与其他技术相比，这种 GaN 内部匹配 (IM) FET 可提供出色的功率附加效率。GaN
2022-06-27 16:24 立年电子科技 企业号
型号：CGHV96050F2 品牌：
CGHV96050F2 是碳化硅 (SiC) 衬底上的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与其他技术相比，这种 GaN 内部匹配 (IM) FET 可提供出色的功率附加效率。GaN
2022-06-27 16:09 立年电子科技 企业号
型号：CGH60008D-GP4 品牌：
CGH60008D 是一种氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度；和更高的热导率。与 Si
2022-05-18 15:08 立年电子科技 企业号
型号：CMPA0060025F-AMP 品牌：
2022-06-27 16:41 立年电子科技 企业号
型号：CGHV60170D-GP4 品牌：
CGHV60170D 是一种氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度；和更高的热导率。与 Si
2022-06-27 14:54 立年电子科技 企业号
型号：CMPA0060002F1 品牌：
CMPA0060002 是一种基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移
2022-05-17 09:34 立年电子科技 企业号
