沟道有效迁移率(µeff)是CMOS器件性能的关键参数。传统测量方法在高k介质、漏电介质与高速应用中易出现误差。本文介绍了UFSP(Ultra-Fast Single Pulse)技术如何准确提取迁移率,克服这些挑战。
2025-05-19 14:28
在高k金属栅之外,另一种等效扩充的方法是增加通过器件沟道的电子或空穴的迁移率。表2.5列举了一些提高器件载流子迁移率的手段及其对 PMOS或者 NMOS的作用。
2025-05-30 15:19
摘要:栅极控制能力是决定氮化镓高电子迁移率晶体管性能的关键因素。然而在金属-氮化镓界面,金属和半导体的直接接触会导致界面缺陷和固定电荷,这会降低氮化镓高电子迁移率晶体管
2023-05-25 16:11
在半导体中,除了能带宽度外,一个重要的物理量是电荷载流子(电子和空穴)的迁移率。在本教程中,我们将研究霍尔效应,这使我们能够实验性地确定半导体中的这一物理量。电荷载流子迁移率在本篇文章中,我们将采用
2024-10-21 12:00 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
和更大跨导的短沟道场效应器件。一般可以通过增加沟道掺杂浓度来实现。由于沟道区是对体半导体材料的掺杂而形成的,多数载流子与电离的杂质共同存在。多数载流子受电离杂质散射,从而使载流子迁移率减小,器件性能降低。
2025-05-15 17:43
下通过半导体的速度。半导体迁移率取决于杂质浓度、温度、电子和空穴浓度。迁移率是电场与导电材料中载流子的漂移速度之间的比例常数。取决于半导体晶体的质量、晶体中杂质的数量和
2022-11-23 15:57
电阻率和电导率成倒数关系,也就是电导率与电阻率互为倒数关系。即电导
2019-12-09 08:45
波特率是指数据信号对载波的调制速率,它用单位时间内载波调制状态改变的次数来表示,其单位是波特(Baud)。波特率与比特率的关系是比特
2016-09-14 16:57
本文档介绍了ADI公司(ADI)系列iButton热时线器件(特别是DS1921、DS1922和DS1925)的演变,并概述了它们的主要区别和优势。 它还描述了从一台设备迁移到另一台设备所需的必要软件更改。
2023-02-17 11:25
研究人员制备出了小周期三角形的反点晶格,用以显著抑制加工扰动对电子的影响,从而在所生长的QWs上保持了高质量状态。这一成就使观察到受交换库仑相互作用的集体鞍点自旋激子成为可能,所观察到的库仑交换相互作用能量与M点处狄拉克带的能隙相当,这表明准粒子相互作用与AG势能之间的相互影响。
2018-09-11 17:01