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  • 电子迁移试验方法 (EM Test)

    随着半导体制程微缩能力的演进,芯片逻辑闸密度(Gate Count Density)不断提升,因此晶圆制程后段的金属导线(Interconnects)也不断增加层数且复杂化;而铝/铜等金属导线,其单位截面积在足够大的电流密度下,长时间工作将恐造成金属导线本身阻值劣化,及导线与导线间的绝缘层间的漏电。 iST宜特检测可以藉高温与高定电流密度等加速老化实验,推导出产品Interconnects的故障机率与生命周期;或是藉由设计不同的高温、高定电流实验批次,经由Black’s 函数, 推导出电流密度参数(n)与温度参数(Ea)。

    2018-11-30 15:49

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    2019-07-29 07:16

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    2015-03-21 09:47

  • 电子封装微互连中的电迁移

    随着电子产品不断向微型化和多功能化发展,电子封装微互连中的电迁移问题日益突出,已成为影响产品可靠性和耐久性的重要因素.本文在回顾铝、铜及其合金互连引线中电迁移问题

    2011-10-26 16:37

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    2019-10-15 08:30

  • ESD二极管在电压箝位的应用

    状况,但为了确保这种箝位能够提供充分可靠的保护,需要考虑许多因素。了解前端放大器内部的不同ESD二极管架构,以及具体保护电路的热影响和电子迁移影响,有助于设计人员解决保护电路相关的问题,并提高其在现场

    2018-10-17 10:30

  • 除碳可提高GaN电子迁移率?

    据日本研究人员报告,通过减少碳污染来避免碳污染源导致的“迁移率崩溃”,氮化镓(GaN)的电子迁移率性能创下新高 。

    2024-03-13 10:51

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    2022-04-21 15:15

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      长期可靠性的问题,比如电子迁移(EM)失效机制,历来属于晶圆厂的处理范畴。但随着纳米设计中可靠性实现的愈加困难,对设计人员而言,不能再把问题扔给制造甩手不管了。设

    2012-05-02 10:19

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    2022-06-24 14:24