在半导体中，除了能带宽度外，一个重要的物理量是电荷载流子(电子和空穴)的迁移率。在本教程中，我们将研究霍尔效应，这使我们能够实验性地确定半导体中的这一物理量。电荷载流子迁移
2024-10-21 12:00 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
电源网格的电压下降和电迁移效应分析 集成电路电源分配系统的用途是提供晶体管执行芯片逻辑功能所需的电压与电流。在0.13微米以下工艺技术时
2009-12-26 14:48
HEMT（High Electron Mobility Transistor），高电子迁移率晶体管。这是一种异质结场效应晶体管，又称为调制掺杂场效应晶体管（MODFET
2022-05-09 10:30
据日本研究人员报告，通过减少碳污染来避免碳污染源导致的“迁移率崩溃”，氮化镓（GaN）的电子迁移率性能创下新高 。
2024-03-13 10:51
在物理学中，光电效应和电子伏特效应是两个重要的概念，它们都涉及到光与物质的相互作用。光电效应描述的是光照射到金属表面时，金属会释放出电子的现象；而
2024-11-25 13:38
PID效应（Potential Induced Degradation）又称电势诱导衰减，是电池组件的封装材料和其上表面及下表面的材料，电池片与其接地金属边框之间的高电压作用下出现离子迁移，而造成
2017-04-21 16:26
银迁移现象及其对电子产品可靠性的影响
2024-10-27 10:21
和更大跨导的短沟道场效应器件。一般可以通过增加沟道掺杂浓度来实现。由于沟道区是对体半导体材料的掺杂而形成的，多数载流子与电离的杂质共同存在。多数载流子受电离杂质散射，从而使载流子迁移率减小，器件性能降低。
2025-05-15 17:43
跨设备迁移（下文简称“迁移”）支持将 Page 在同一用户的不同设备间迁移，以便支持用户无缝切换的诉求。以 Page 从设备 A 迁移到设备 B 为例，
2024-01-31 15:47
