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型号：<b class='flag-s-7'>6N90L-TF3</b>-T-VB 品牌：微碧

### 1. 产品简介VBsemi 6N90L-TF3-T-VB 是一款单N沟道场效应管，采用了SJ_Multi-EPI技术，设计用于高压应用。具有高达900V的漏极-源极电压（VDS），适合需要

2024-11-18 16:25 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6N90G-TA3</b>-T-VB 品牌：微碧

电子系统。### 详细参数说明- **型号**: 6N90G-TA3-T-VB- **封装**: TO220- **类型**: 单 N 沟道- **漏源电压 (VDS

2024-11-18 16:21 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6N62K3</b>-VB TO220F 品牌：微碧

### 一、6N62K3-VB TO220F产品简介**6N62K3-VB TO220F**是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用了TO220F封装。该器件具有高耐压、高电流处理能力和低导通电

2024-11-18 15:58 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6N65L-TN3</b>-R-VB 品牌：微碧

电压和电流处理能力的应用。采用了SJ_Multi-EPI技术，具有较低的导通电阻和优异的热稳定性，适用于多种电力电子应用场合。### 6N65L-TN3-R-VB

2024-11-18 16:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6N90L-TA3</b>-T-VB 品牌：微碧

高压应用，具备良好的导通特性和高电压承受能力，适合要求高可靠性和高效能的电力电子系统。### 二、6N90L-TA3-T-VB详细参数说明- **封装形式**：T

2024-11-18 16:22 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6N80G-TA3</b>-T-VB 品牌：微碧

### 一、6N80G-TA3-T-VB产品简介**6N80G-TA3-T-VB**是一款高压单N沟道功率MOSFET，采用了TO220封装。该器件具有优秀的耐压能力和稳定性，适合于需要处理高电压

2024-11-18 16:15 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6N52K3</b>-VB TO252 品牌：微碧

### 一、6N52K3-VB产品简介6N52K3-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装和SJ_Multi-EPI技术，适用于需要高电压承受能力和中等电流控制的应用场合。其设计结构

2024-11-18 15:39 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：0402CS-<b class='flag-s-7'>6N2</b> 品牌：

0402CS-6N2 型号简介      0402CS-6N2是Coilcraft的一款陶瓷电感器。这款电感器尺寸小，仅为1005封装，非常适合高密度PCB

2024-04-15 12:05 立年电子科技 企业号