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2024-11-18 16:12 微碧半导体VBsemi 企业号
### 155N3H6-VB 产品简介**产品型号**: 155N3H6-VB**封装形式**: TO252**配置**: 单N沟道**主要参数**:- **漏源极电压 (VDS)**: 30V-
2024-07-06 16:03 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介6N50G-TA3-T-VB 是一款单N沟道场效应晶体管(MOSFET),采用Plannar技术制造,具有高电压耐受能力和适合中功率应用的特点。#
2024-11-18 15:28 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介VBsemi 6N90L-TF3-T-VB 是一款单N沟道场效应管,采用了SJ_Multi-EPI技术,设计用于高压应用。具有高达900V的漏极-
2024-11-18 16:25 微碧半导体VBsemi 企业号
MCIMX6QP6AVT1AB 电子元器件详解在现代电子产品设计中,选择合适的处理器是至关重要的。MCIMX6QP6AVT1AB是一款高性能的应用处理器,广泛应用于各种
2024-09-27 15:58 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
ESD保护二极管,单向, DO-214AC (SMA)封装SMA6J5.0A SMA6J6.0A量産中 600 W, 5 V TVS in SMA推出一款峰值脉冲功率高达
2022-07-10 09:49 常州鼎先电子有限公司 企业号
### 产品简介:150N3LLH6-VB 是一款单N沟道场效应管(MOSFET),具有30V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS,±V),1.7V的阈值电压(Vth),5m
2024-07-06 16:01 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介ZXMN3A03E6TA-VB是VBsemi品牌的N沟道场效应管,具有30V的漏极-源极电压承受能力和6A的漏极电流额定值。该器件采用SOT23-
2024-06-17 16:34 微碧半导体VBsemi 企业号