Qorvo QPD0007 GaN射频晶体管Qorvo QPD0007 GaN射频晶体管是单路径离散碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT)，采用DFN封装。这些
2024-02-26 19:46 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
QPD0007：高效GaN RF功率晶体管产品概述QPD0007是Qorvo推出的一款高性能GaN（氮化镓）RF功率晶体管，专为高频应用设计。其卓越的功率密度和效率使其在无线通信和其他高频设备中表
2024-11-01 14:20 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
Qorvo QPD1016L GaN射频晶体管Qorvo QPD1016L GaN射频晶体管是一款500W (P3dB) 预匹配分立式碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管
2024-02-26 19:28 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
MRF10350 射频双极晶体管详解产品概述MRF10350 是一款高性能的射频双极晶体管，主要设计用于1025-1150MHz频段的应用。该器件具有50V的高电压额定值和350W的峰值功率输出
2024-10-23 11:00 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
Qorvo QPD0005M RF JFET晶体管Qorvo QPD0005M RF JFET晶体管是单路径分立式GaN on SiC HEMT，采用塑料包覆成型DFN封装。该系列晶体管的工作频率
2024-02-26 23:27 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
QPD1035：高效GaN HEMT RF功率晶体管产品概述QPD1035是Qorvo推出的一款高性能GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）RF功率晶体管，专为高频应用
2024-11-01 14:26 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
MDS800 射频双极晶体管详解产品概述MDS800 是微芯科技（Microchip Technology）推出的一款射频双极晶体管，结合了双极型晶体管（BJT）与 LDMOS 技术的优点，专为高
2024-10-23 11:01 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
高达 50W 的输出功率，并且具有至少 9.1 dB 的增益，适合用于各种需要高功率和稳定信号的射频（RF）应用。这款晶体管的设计旨在满足现代通信系统、广播及其他
2024-10-23 11:02 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
VRF2933MP RF MOSFET 晶体管详解产品概述VRF2933MP 是微芯科技（Microchip Technology）推出的一款高性能 RF MOSFET 晶体管，专为高电压和高功率
2024-10-23 11:00 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
ART150PEGXYAmpleon 的 RF 功率晶体管RF功率晶体管，0.001至0.65 GHz，150 W，31.2 dB，65 V，LDMOSMMFEB21PP6-预分
2024-02-29 14:46 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
