中科院微电子研究所研制成功40GHz静态分频器 近日，中科院微电子研究所四室InP HBT 小组研制成功基于InP/InGaAs DHBT工艺的静态分频器，测试
2009-03-18 14:49
新加坡科学技术研究局微电子研究所 (A*STAR IME) 和意法半导体(简称ST) 共同宣布，双方将在汽车和工业市场电力电子设备用碳化硅 (SiC) 领域展开研发 (
2021-12-17 17:39
近日，中国科学院微电子研究所（许昌）人工智能联合实验室揭牌成立，该联合实验室将致力于提升河南许昌新一代电子信息产业技术研发创新能力，推动黄河鲲鹏产业发展。 据悉，该联合实验室采取院地合作共建
2020-10-28 09:21
在电动汽车（EV）和工业用电力电子设备中，SiC解决方案的性能表现比传统硅（Si）基器件更好，而且可以满足市场对外形尺寸更小或功率输出更高、工作温度更高的功率模块的需求。
2021-11-29 15:09
中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22纳米 CMOS关键技术先导研发上取得突破性进展
2012-12-11 11:31
日前，中科院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术研究室(三室)在阻变存储器微观机制研究中取得系列进展。
2012-04-13 09:31
中国科学院微电子研究所硅光子平台基于微电子所先导中心成熟的8英寸CMOS工艺线，该CMOS工艺线支撑开发了成套硅光工艺和器件，制定了设计规则和工艺规范，并形成了PDK。
2023-06-07 14:38
日前，中科院微电子研究所电子系统总体研究室(六室)在低功耗传感器网络核心芯片及片上系统的关键技术研究上取得突破，成功自主
2011-11-15 09:43
由中科院微电子研究所系统封装技术研究室牵头承担的“高密度三维系统级封装的关键技术研究”重大专项取得新进展。
2011-12-16 09:04
据“中科院微电子研究所”消息，为了更好地解决SOT-MRAM的刻蚀技术难题以实现SOT-MTJ的高密度片上集成，同时研究不同的刻蚀工艺对器件磁电特性的影响，中国科学院微电子
2023-03-10 09:40
