型号:FQPF85N06-VB丝印:VBMB1615品牌:VBsemi参数说明:- 极性:N沟道- 额定电压:60V- 最大连续漏极电流:70A- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):10m
2023-12-14 17:31 微碧半导体VBsemi 企业号
**17N80C3-VB TO263 产品简介:**17N80C3-VB TO263 是一款单通道 N 沟道 MOSFET,具有800V 的漏极-源极电压(VDS),30V(±V)的栅极-源极电压
2024-07-08 15:06 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:FQPF30N06L-VB**丝印:** VBMB1638**品牌:** VBsemi**参数:**- 类型:N沟道- 额定电压(Vds):60V- 最大电流(Id):45A- 静态漏极-源极
2023-12-19 11:07 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi 17N80C3-VB TO220F 是一款高性能的单N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),采用SJ_Multi-EPI 技术,具有高电压耐受和低导通电阻的特性
2024-07-08 15:02 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是关于VBsemi的MOSFET产品06N80C3-VB的详细信息:1. 产品简介: - 型号:06N80C3-VB - 封装:TO220 - 构造:单N沟道
2024-07-03 14:20 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是关于VBsemi的MOSFET产品04N80C3-VB的详细信息:1. 产品简介: - 型号:04N80C3-VB - 封装:TO220F - 构造:单N
2024-07-02 16:13 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介55N80C3-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO247封装,适合高压应用。它具有800V的漏源电压能力和低导通电阻特性,适用于需要高电压和高功率处理的场合。### 详细参数
2024-11-14 14:03 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**17N80C3-VB TO220**是一款单N沟道MOSFET,具有高漏极-源极电压和低导通电阻,适用于要求高电压和电流的功率电子应用。采用SJ_Multi-EPI技术,具备出色
2024-07-08 15:01 微碧半导体VBsemi 企业号