产品概述SX07-0B00-02是一款高性能的电子元件,广泛应用于各类电子设备中。该产品的设计旨在满足现代电子产品对高效能和可靠性的需求,适合用于多种应用场景。SX07-0B00-02具有优异的电气
2025-02-16 09:12 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 一、8N60-VB 产品简介8N60-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装。它具有高达650V的漏源极电压承受能力,适用于各种要求高电压和高效能的功率开关和电源
2024-11-22 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、8N60-VB 产品简介8N60-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用了SJ_Multi-EPI技术,封装为TO251。它具有650V的耐压能力和7A的最大连续漏极电流(ID),适合于
2024-11-22 16:23 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介 – KF8N60F-VBKF8N60F-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高电压和高电流应用而设计。该器件具备 650V 的漏极-源极电压
2025-09-15 13:48 微碧半导体VBsemi 企业号
### SVF8N60AF-VB MOSFET 产品简介**型号:** SVF8N60AF-VB **封装类型:** TO220F **配置:** 单极性N沟道
2025-09-19 11:51 微碧半导体VBsemi 企业号
承受能力和适中的导通电阻,适合需要稳定性和高效能转换的电子设备设计。### 8N60G-TA3-T-VB 详细参数说明- **封装类型 (Package)**: TO
2024-11-22 16:14 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:MDF8N60-VBMDF8N60-VB 是一款高压单N沟道MOSFET,采用TO220F封装,最大漏源电压(VDS)为650V,最大漏极电流(ID)为10A。该器件基于平面
2025-09-15 16:12 微碧半导体VBsemi 企业号