产品概述SX07-0B00-02是一款高性能的电子元件,广泛应用于各类电子设备中。该产品的设计旨在满足现代电子产品对高效能和可靠性的需求,适合用于多种应用场景。SX07-0B00-02具有优异的电气
2025-02-16 09:12 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介:12N60-VB是一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS,±V)、3.5V的阈值电压(Vth)、220mΩ@VGS=10V
2024-07-05 16:59 微碧半导体VBsemi 企业号
先进的Trench技术制造,具备低导通电阻和高电流承载能力,适合要求高效能和可靠性的电子设备和系统。### 二、AM60N04-12D-T1-PF-VB 详细参数说
2024-12-02 13:55 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi的12N60-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO220封装,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS,±V),3.5V的阈值电压
2024-07-05 16:58 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:12N60L-TF1-T-VB是一款单N沟道MOSFET,采用Plannar技术制造,具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、3.5V的阈值电压
2024-07-05 16:56 微碧半导体VBsemi 企业号
60 kW 三相交错式 LLC DC-DC 转换器 (CRD-60DD12N-K) 是之前 30 kW 设计 (CRD-30DD12N-K) 功率水平的两倍,面向高功率密度、高效率快速充电器应用并
2023-08-01 17:40 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 12N60H-VB MOSFET 产品简介VBsemi的12N60H-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO220F封装技术。这种MOSFET在600V的漏源电压(VDS)和30V
2024-07-05 16:54 微碧半导体VBsemi 企业号