LLC电路的ZVS零电压开通十分重要，如果能够保证ZVS，则无论是开关管的损耗，还是开关管的DS电压应力，都能够得到比较好的效果。全球30A的开发过程证明，MOSFET的DS电
2023-03-20 11:30
通过共用开关管，简化了传统级联型Boost变换器的电路拓扑及控制，然而级联结构中器件数量仍较多，且器件电压应力高。为此，采用级联结构，并引入开关电容以进一步提升电压增益，降低器件
2017-12-06 13:59
为解决中、大功率等级IGBT的可靠驱动问题，本文提出了驱动电路的关键参数设计方案。同时，在变流器极端工况下研究了IGBT的相关特性，提出了极端工况IGBT的保护措施，包括IGBT栅极电压应力防护、VCE电压
2018-06-17 09:57
三相三电平PFC正负母线的平衡度会影响PFC的性能：影响输入电流THD；影响功率开关管和二极管的电压应力；动态时母线容易过压。
2023-03-23 09:26
本文首先总结了级联H桥、NPC和FC多电平逆变器的工作原理和优缺点，并以七电平为例仿真验证了关于器件开关频率、器件电压应力、输出谐波含量等特点。
2016-11-30 11:41
所有功率级设计者期望在开关节点看到完美的方波波形。快速上升/下降边降低了开关损耗，而低过冲和振铃最小化功率FET上的电压应力。
2018-07-10 14:50
根据施加在压敏电阻上的连续工作电压的不同，可将跨电源线用压敏电阻器可区分为交流用或直流用两种类型，压敏电阻在这两种电压应力下的老化特性表现不同。
2019-10-23 10:18
有时陶瓷电容生产厂家为了在更小的封装里，维持相同水准的电容值，而选择性地减少电介质的厚度或者调整电介质配方。这种设计的改变可能会导致更高的电压应力以及更大的电容值损失。
2018-10-13 10:16
应力记忆技术（Stress Memorization Technique, SMT），是一种利用覆盖层Si3N4单轴张应力提高90nm 及以下工艺制程中 NMOS速度的应变硅技术。淀积覆盖层
2024-07-29 10:44
严格来说，器件静电损伤也属于过电压应力损伤，静电型过电应力的特点是：电压较高，能力较小，瞬间电流较大，但持续的时间极短，与一般的过电
2017-05-23 16:00
