MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力 MOSFET的通态电阻
2023-02-27 11:52
一个下拉电阻。作用：确保给GS电容提供放电回路——确保关断，低态。这样MOSFET就只有两态，不是高就是低。另外，下拉电阻
2021-05-10 09:52
和动态均流问题；目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保证漏源通态电阻很小；器件的同步整流工作状态已变得愈来愈广泛，原因是它的通态
2021-08-29 18:34
的通态电阻呈正温度系数，故原理上很容易并联扩容，但实际并联时，还要考虑驱动的对称性和动态均流问题；-- 目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保证漏源通
2021-09-05 07:00
场效应晶体管（Junction FET）的简称，产生一个寄生的JFET，结型场效应管是以PN结上的电场来控制所夹沟道中的电流，从而增加通态电阻。平面MOSFET的RDS(ON)由于下面几个部分组成：RS : 源
2016-10-10 10:58
程师的这些要求。英飞凌几年前开发的OptiMOS™3技术相对于现有的其他MOSFET技术，可使通态电阻RDS(on) 大幅降低60%。另外还可大幅降低CGS （栅极至源极）和 CGD （栅极至漏极）电容
2018-12-06 09:46
主要参数包括:漏源击穿电压Udss(1000V以下)，漏极连续电流额定值Id和漏极脉冲峰值Idm，漏源通态电阻Rds，栅源电压Ugs，跨导Gfs,极间电容。
2019-04-27 12:21
GPIO输入具备缓冲功能，输出均具有锁存功能GPIO一般具有三态：0态、1态、高阻
2021-12-23 07:27
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通
2018-11-30 11:34
，即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力MOSFET的通态
2019-06-14 00:37
