电力MOSFET的反向电阻工作区 电力MOSFET在很多电子设备中都有广泛的应用，例如电源、驱动电路、LED控制等。
2023-10-26 11:38
MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力 MOSFET的通态电阻
2023-02-27 11:52
沟槽栅低压功率MOSFET的发展-减小漏源通态电阻Rds(on):近些年来，采用各种不同的沟槽栅结构使低压MOSFET 功率开关的性能迅速提高。本文对该方面的新发展进行
2009-12-13 20:02
安森美半导体NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技术碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的开关性能和更高的可靠性。此外，该SiC MOSF
2020-06-15 14:19
ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31
IR近日推出配备IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可为各种高效工业应用提供基准导通电阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有极低的导通
2013-01-22 13:27
的工作效率。在这些应用中，中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电 路中，制造商要求进一步降低功耗。另一方面，“导通电阻
2023-11-20 01:30
，即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力MOSFET的通态
2019-06-14 00:37
主要参数包括:漏源击穿电压Udss(1000V以下)，漏极连续电流额定值Id和漏极脉冲峰值Idm，漏源通态电阻Rds，栅源电压Ugs，跨导Gfs,极间电容。
2019-04-27 12:21
为什么有时候需要MOSFET栅极电阻？它应该是什么价值？它应该在下拉电阻之前还是之后？事实上，有许多电路是在没有栅极电阻的情况下工作的，但添加一个可以防止一些潜在的问题
2023-07-06 11:10
