p-n结是半导体内部n型和p型半导体材料之间的界面或边界。固态电子学的关键之一是P-N结的性质。例如，PN结二极管是最简
2023-02-08 15:24
从本篇开始，介绍近年来MOSFET中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。功率晶体管的特征与定位首先来看近年来的
2018-11-28 14:28
两个空间电荷区（即p-i和n-i两个界面的空间电荷区），一个空间电荷区包含有正电荷，另一个空间电荷区包含有负电荷，这些空间电荷所产生的电场——内建电场的电力线就穿过i型层。（2）势垒区：
2013-05-20 10:00
异质结通常采用外延生长法。根据pn结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用
2016-11-29 14:52
单向导电性的，是二极管，不是PN结！ 真正令 PN结 导不了电的，关非 过不去，而是 离不开及进不来， 交叉对流无
2024-02-25 08:57
等级，同时，在器件导通时，形成一个高掺杂N+区，作为功率MOSFET导通时的电流通路，也就是将反向阻断电压与导通电阻功能分开，分别设计在不同的区域，就可以实现上述的要求。基于超结
2018-10-17 16:43
;推导过程参见《晶体管原理》。当外加反向电压时 I = Is ， CD趋于零。3、 PN结电容： PN结的总电容Cj为CT和CD两者之和Cj = C
2008-09-10 09:26
并且无法移动。什么是p型和n型？在硅掺杂中，有两种类型的杂质：n型和p型。在n型掺杂中，砷或磷少量添加到硅中。。..在p型掺杂中，硼或镓用作掺杂剂。这些元素的外轨道上都有三个电子。什么是PN结二极管
2023-02-15 18:08
l. PN结的形成(1)载流子的扩散运动用掺杂工艺在一块完整半导体中，一部分形成P型半导体，另一部分形成N 型半导体。那么，在两种杂质型半导体交界处两侧，P区的空穴（多子）浓度远 大于N区的空穴
2017-07-28 10:12
CoolMOS，这种结构从学术上来说，通常称为超结型功率MOSFET。图3：内建横向电场的SuperJunction结构垂直导电N+区夹在两边的P区中间，当MOS关断时，形成两个反向偏置的PN
2017-08-09 17:45
