增大MOSFET栅极电阻可消除高平震荡，是否栅极电阻越大越好，为什么？请你分析一下增大栅极电阻能消除高平震荡的原因
2023-05-16 14:32
最近在调试PFC，上电瞬间，TT PFC的高频下半桥就短路了，烧了好几只管子，后面发现是Mosfet的驱动电阻没有贴上，请问这个对Mos的影响有多大？多大的电压、电流会使得开关管失效？
2021-04-07 21:02
功率三极管（GTR）来做比较的：优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等；缺点—难以制成高电压、大电流型器件，这是因为耐压高的功率 MOSFET 的通态电阻较大的缘故。言归正传，下面来看看具体如何选型
2019-11-17 08:00
功率MOSFET的结构特点为什么要在栅极和源极之间并联一个电阻呢？
2021-03-10 06:19
MOSFET简介MOSFET的一些主要参数MOSFET的驱动技术
2021-03-04 06:43
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些应用？
2021-07-09 07:45
运放正负12伏供电，运放输出端连接mosfet的G极。mosfet的D连接500v直流高压，mosfet的S极连接一个20欧姆电阻到地，20欧姆
2018-08-02 08:55
tinyswitch-4的通态漏源电压的计算方法，在手册里面有通态电阻了，还差哪个电流呢？我做适配器用的，谢谢
2015-05-25 10:07
IGBT和SiC MOSFET的电压源驱动和电流源驱动的dv/dt比较。VSD中的栅极电阻表示为Rg，控制CSD栅极电流的等效电阻表示为R奥特雷夫。 从图中可以明显看出，在较慢的开关速度（dv/dt
2023-02-21 16:36
