• 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
返回

电子发烧友 电子发烧友

  • 全文搜索
    • 全文搜索
    • 标题搜索
  • 全部时间
    • 全部时间
    • 1小时内
    • 1天内
    • 1周内
    • 1个月内
  • 默认排序
    • 默认排序
    • 按时间排序
  • 全部板块
    • 全部板块
大家还在搜
  • 【原创分享】从无到有,彻底搞懂MOSFET讲解(三)

    一个下拉电阻。作用:确保给GS电容提供放电回路——确保关断,低。这样MOSFET就只有两,不是高就是低。另外,下拉电阻

    2021-05-10 09:52

  • 降低高压MOSFET导通电阻的原理与方法

    MOSFET漏源极之间有寄生二极管,漏源极间加反向电压时器件导通。电力 MOSFET的通电阻具有正温度系数,对器件并联

    2023-02-27 11:52

  • 功率MOSFET的正向导通等效电路

    的通电阻呈正温度系数,故原理上很容易并联扩容,但实际并联时,还要考虑驱动的对称性和动态均流问题;-- 目前的 Logic-Level的功率 MOSFET,其Vgs只要 5V,便可保证漏源通

    2021-09-05 07:00

  • 功率MOSFET的正向导通等效电路

    和动态均流问题;目前的 Logic-Level的功率 MOSFET,其Vgs只要 5V,便可保证漏源通电阻很小;器件的同步整流工作状态已变得愈来愈广泛,原因是它的通

    2021-08-29 18:34

  • 电力MOSFET器件的主要参数

    主要参数包括:漏源击穿电压Udss(1000V以下),漏极连续电流额定值Id和漏极脉冲峰值Idm,漏源通电阻Rds,栅源电压Ugs,跨导Gfs,极间电容。

    2019-04-27 12:21

  • 英飞凌40V和60V MOSFET

    程师的这些要求。英飞凌几年前开发的OptiMOS™3技术相对于现有的其他MOSFET技术,可使通电阻RDS(on) 大幅降低60%。另外还可大幅降低CGS (栅极至源极)和 CGD (栅极至漏极)电容

    2018-12-06 09:46

  • Mosfet驱动电阻分析

    最近在调试PFC,上电瞬间,TT PFC的高频下半桥就短路了,烧了好几只管子,后面发现是Mosfet的驱动电阻没有贴上,请问这个对Mos的影响有多大?多大的电压、电流会使得开关管失效?

    2021-04-07 21:02

  • 关于MOSFET栅极串电阻的疑问

    大家好,问个在网上经常碰到的问题,但我想再问得深入些。 关于MOSFET,就说NMOS管吧,平时说到栅极,大家都习惯性的串接一个栅极电阻大小从10欧--100欧不等。 而且有人说为了提高开通速度甚至

    2013-02-08 15:28

  • 如何测量电力电容器的绝缘电阻

    `小库说:在平常的工作中,我们会遇到形形色色的问题 例如我们该如何测量电力电容器的绝缘电阻电力电容器的绝缘电阻是指电力

    2018-03-22 14:38

  • 功率MOSFET结构及特点

    场效应晶体管(Junction FET)的简称,产生一个寄生的JFET,结型场效应管是以PN结上的电场来控制所夹沟道中的电流,从而增加通电阻。平面MOSFET的RDS(ON)由于下面几个部分组成:RS : 源

    2016-10-10 10:58