栅极驱动IC（Gate Driver IC）和源极（Source）是两个在电子和电力电子领域中常见的概念，它们在功能和应用上有着明显的区别。 栅极驱动IC（Gate Driver IC） 定义与功能
2024-09-18 09:45
MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一个栅极
2019-07-03 16:26
碳化硅（SiC）MOSFET在电源和电力电子领域的应用越来越广泛。随着功率半导体领域的发展，开关损耗也在不断降低。随着开关速度的不断提高，设计人员应更加关注MOSFET的栅极
2025-06-24 09:20
GaN FETs以其体积小、切换速度快、效率高及成本低等优势，为电力电子产业带来了革命性的变化。然而，GaN技术的快速发展有时超出了专门为GaN设计的栅极驱动器和控制器的发展。因此，电路设计师经常转向为硅MOSFETs设计的通用
2024-02-29 17:54 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
损耗是MOSFET的Qg乘以驱动器电压和开关频率的值。Qg请参考所使用的MOSFET的技术规格书。驱动器电压或者实测，或者参考IC的技术规格书。
2020-04-05 11:52
TMC6140 是一款完全集成的通用三相 MOSFET 栅极驱动器，适用于 PMSM 伺服或 BLDC 电机。支持高达 100 A 电机电流的外部MOSFET。 三个底部分流放大器可以轻松检测电流并增强电机的换向。
2022-03-23 13:56
MOSFET是一种常见的电压型控制器件，具有开关速度快、高频性能、输入阻抗高、噪声小、驱动功率小、动态范围大、安全工作区域(SOA)宽等一系列的优点，因此被广泛的应用于开关电源、电机控制、电动工具等各行各业。
2022-03-28 09:35
MOSFET和IGBT等功率半导体作为开关元件已被广泛应用于各种电源应用和电力线路中。其中，SiC MOSFET在近年来的应用速度与日俱增，它的工作速度非常快，以至于开关时的电压和电流的变化已经无法
2021-06-12 17:12
电隔离式（GI）栅极驱动器在优化碳化硅（SiC）MOSFET性能方面扮演着至关重要的角色，特别是在应对电气化系统日益增长的需求时。随着全球对电力在工业、交通和消费产品中依赖性的加深，SiC技术凭借其
2024-11-11 17:12
栅极驱动器可以驱动开关电源如MOSFET，JFET等，因为如MOSFET有个栅极电容，在导通之前要先对该电容充电，当电容电压超过阈值电压（VGS-TH）时
2020-01-29 14:18
