功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为现代电力电子领域中的核心器件，其开通和关断过程原理对于理解其工作特性、设计高效电路以及确保系统稳定性至关重要。以下将
2024-10-10 09:54
一开始我们简单介绍过IGBT的基本结构和工作原理，不同的行业对使用IGBT时，对于其深入的程度可能不一样，但是作为一个开关器件，开通和关断的过程
2023-05-25 17:16
IGBT开通过程发生的过流、短路故障 IGBT是一种三端功率半导体器件，常用于电力电子领域。它具有开关速度快、工作温度范围广、损耗小等优点，因此在各种电源、驱动、变换和控制系统中得到广泛应用。 然而
2024-02-18 11:14
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施
2023-11-27 17:52
IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压
2022-07-08 16:50
IGBT作为具有开关速度快，导通损耗低的电压控制型开关器件被广泛应用于高压大容量变频器和直流输电等领域。现在IGBT的使用比较关注的是较低的导通压降以及低的开关损耗。作为开关器件，研究它的开通和关断过程当然是必不可少的，今天我们就来说说IGBT的
2019-01-01 15:04
在现在使用的MOS和IGBT等开关电源应用中，所需要面对一个常见的问题 — 米勒效应，本文将主要介绍MOS管在开通过程中米勒效应的成因、表现、危害及应对方法。
2023-02-10 14:05
如图，MOS管内部有寄生电容Cgs，Cgd，Cds。因为寄生电容的存在，所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程。
2022-08-25 09:47
本文就MOSFET的开关过程进行相关介绍与分析，帮助理解学习工作过程中的相关内容。首先简单介绍常规的基于栅极电荷的特性，理解MOSFET的
2023-12-04 16:00
