中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗,以及关断过程和和关断损耗。功率MOSFET及驱动的等效电路图如图1所示,RG1为功率
2017-02-24 15:05
本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑 本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的
2021-01-30 13:20
无线充电电力传输过程中主要的损耗:1.供电端的驱动组件,主要是MOSFET的开关损耗2. 供电端和受电端的线圈与谐振电容通过电流的损耗3.受电端的整流部分,交流到直流的
2021-09-15 07:13
功率MOSFET的感性负载关断过程和开通过程一样,有4个阶段,但是时间常数不一样。驱动回路的等效电路图如图1所示,RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻,RG2为功
2017-03-06 15:19
了解MOS管的开通/关断原理你就会发现,使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂,一般情况下意义不大,所以很少采用。下面先了解MOS管的开通/关断
2021-10-28 08:37
LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通(ZVS),MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。要保证LLC原边
2018-07-18 10:09
应用,使用MOSFET作为调整管,MOSFET就工作于稳定放大区。开关电源等现代的高频电力电子系统,MOSFET工作于开关状态,相当于在截止区和导变电阻区(完全导通)快
2016-12-21 11:39
的等效串联电阻就越大。正是由于串联等效的栅极和源极电阻的分压作用,造成晶胞单元的VGS的电压不一致,从而导致各个晶胞单元电流不一致。在MOSFET开通的过程中,由于栅极电容的影响,会加剧各个晶胞单元电流
2016-09-26 15:28
/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗,因为在每次开关时都要对它们充电。MOSFET的开关速度因此被降低,器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗,设计人员必须计算开通过程
2011-08-17 14:18
重要了。一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求:(1)开关管开通瞬时,驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值,保证开关管能快速开通
2017-01-09 18:00