如图所示，Pspice仿真mosfet开通过程，通过仿真得到的波形如图所示（蓝色是Vds，红色是Vgs，绿色是Id），与课本上给的开通过程有区别。想请教一下仿真图中的几
2019-06-04 20:39
电子发烧友网为你提供功率MOSFET的开通过程和开通损耗资料下载的电子资料下载，更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-04-04 08:55
功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为现代电力电子领域中的核心器件，其开通和关断过程原理对于理解其工作特性、设计高效电路以及确保系统稳定性至关重要。以下将
2024-10-10 09:54
中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗，以及关断过程和和关断损耗。功率MOSFET及驱动的等效电路图如图1所示，RG1为功率
2017-02-24 15:05
开通过程[ t0 ~ t4 ]： -- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止状态，t0 时，MOSFET 被驱动开通； -- [t0-t1]区间，
2012-03-14 14:22
，里面空穴没有了，出现了大量电子。 看到下面这张图是不是很熟悉。 但是我觉得还可以从MOSFET的半导体原理出发来，详细分析MOS管的开通。分析MOS管的开通过程时，需要使用它的等效模型，如下图所示
2023-03-22 14:52
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33
一开始我们简单介绍过IGBT的基本结构和工作原理，不同的行业对使用IGBT时，对于其深入的程度可能不一样，但是作为一个开关器件，开通和关断的过程
2023-05-25 17:16
IGBT开通过程发生的过流、短路故障 IGBT是一种三端功率半导体器件，常用于电力电子领域。它具有开关速度快、工作温度范围广、损耗小等优点，因此在各种电源、驱动、变换和控制系统中得到广泛应用。 然而
2024-02-18 11:14
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施
2023-11-27 17:52
