功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为现代电力电子领域中的核心器件，其开通和关断过程原理对于理解其工作特性、设计高效电路以及确保系统稳定性至关重要。以下将
2024-10-10 09:54
GTO与晶闸管的开通与关断有什么不同之处 GTO（Gate Turn-Off Thyristor）和晶闸管（Thyristor）是两种电力电子器件，它们都被广泛应用于交流电路的控制中。虽然这两种
2023-09-13 17:08
mos的的损耗我们谈及最多的就是开通损耗和关断损耗，今天以反激CCM模式的开通损耗和关断损耗来把公式推导一番，希望能够给各位有所启发。
2024-01-20 17:08
实际的功率MOSFET 可用三个结电容，三个沟道电阻，和一个内部二极管及一个理想MOSFET 来等效。三个结电容均与结电压的大小有关，而门极的沟道电阻一般很小，漏极和源极的两个沟道电阻之和即为MOSFET 饱和时的通
2023-02-17 18:11
电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。
2019-06-18 16:49
什么是绝缘栅双极型晶体管的开通时间与关断时间？ 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是一种主要应用于功率电子装置中的半导体器件，其具有低导通压降和高关断速度等优点。开通时间和
2024-02-20 11:19
功率器件如 MOSFET、IGBT 可以看作是一个受门极电压控制的开关。当门极电压大于开通阈值时，功率器件就会被开通；而当门极电压低于开通阈值时，功率器件就会被
2022-11-29 10:16
在IGBT开关过程中通常用开通延迟td（on）、关断延迟td（off）、上升时间tr和下降时间tf来进行描述。
2021-05-06 10:06
具有自关断能力的电力半导体器件称为全控性器件，全控型器件又称为自关断器件，是指通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断的电
2023-02-25 13:53
MOSFET，也称为金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一种常见的电子器件。它是一种半导体器件，由
2023-08-04 15:24
