功率MOSFET的感性负载关断过程和开通过程一样，有4个阶段，但是时间常数不一样。驱动回路的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻，RG2为功
2017-03-06 15:19
了解MOS管的开通/关断原理你就会发现，使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂，一般情况下意义不大，所以很少采用。下面先了解MOS管的开通/
2021-10-28 08:37
MOS管的开通/关断原理
2021-03-04 08:28
过程中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗，以及关断过程和和关断损耗。功率MOSFET及驱动的等
2017-02-24 15:05
开关管由开通到关断的功耗测试 由开通到关断的时间Toff-rise(nS) 100 (测量电压波形的上升时间,单位ns) 由开通
2011-06-10 10:12
第四部第四讲讲解mosfet的开关过程，当Vgs大于开启电压时，Id与Vgs逐渐增大。当Id增大至所需最大电流时，平台电压形成，Vgs与Id成比例(未完全导通)。当mosfet完全导通时，Vgs
2018-10-24 14:55
目前想设计一个关于MOSFET的DG极驱动方案，存在问题为MOSFET可以正常开通，但无法关断，带负载时GS极始终存在4V电压无法
2023-12-17 11:22
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33
【不懂就问】在单端反激电路中常见的一部分电路就是RCD组成的吸收电路，或者钳位电路，与变压器原边并联其目的是吸收MOSFET在关断时，引起的突波，尖峰电压电流到那时MOSFET是压控器件，为什么在
2018-07-10 10:03
常见的逆变电路的元件主要分为分立器件的IGBT和集成的IGBT模块，这些又分为不同电压等级和电流大小，那么IGBT的开通时间和关断时间是否相同，如果不相同，哪个时间更长一些？并且，在设计IGBT
2024-02-25 11:06
