本文就MOSFET的开关过程进行相关介绍与分析，帮助理解学习工作过程中的相关内容。首先简单介绍常规的基于栅极电荷的特性，理解MOSFET的开通和关断的
2023-12-04 16:00
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的开关过程是其作为电力电子器件核心功能的重要组成部分，直接决定了电力变换系统的效率、稳定性和可靠性。以下是对IGBT开关过程的详细分析，包
2024-07-26 17:31
本文介绍了米勒效应的由来，并详细分析了MOSFET开关过程米勒效应的影响，帮助定性理解米勒平台的形成机制。最后给出了场效应管栅极电荷的作用。
2022-03-10 14:44
前言：为了方便理解MOSFET的开关过程及其损耗，以Buck变换器为研究对象进行说明（注：仅限于对MOSFET及其驱动进行分析，不涉及二极管反向恢复等损耗。）
2023-06-23 09:16
IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的，由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮，因此IGBT的开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGBT初始状态为关断状态，即VGE为负压VGC-，后级输出为阻感性负载，带有续流二极管。
2023-01-10 09:05
IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的，由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮，因此IGBT的开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGBT初始状态为关断状态，即VGE为负压VGC-，后级输出为阻感性负载，带有续流二极管。
2023-03-15 09:23
反激式电源的开关过程分析 关于这个论题很多人已经给出了它们的分析，不过呢寥寥几句有时候带给人更多的是疑惑和迷茫。参考了一些论文和分
2009-11-21 11:12
IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的，由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮，因此IGBT的开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGBT初始状态为关断状态，即VGE为负压VGC-
2021-02-19 09:31
在电力电子领域，碳化硅（SiC）MOSFET因其高效率、高频率和高温性能而备受青睐。然而，即使性能卓越，SiC MOSFET在开关过程中也可能面临电压尖峰的问题。本文将
2024-08-15 17:17
的作用下，它可以自动调整电流，以确保电路的稳定性。 续流二极管的开关过程主要包括以下几个阶段： 正向电压作用阶段：当电路中的正向电压作用于续流二极管时，二极管导通，电流可以顺利地通过。此时，电感元件中的磁场逐
2024-01-12 18:09
