上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29
。BJT可能需要多达20%的额定集电极电流以保证饱和度，而MOSFET需要的驱动电流则小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路驱动； 2、MOSFET
2012-12-10 21:37
。BJT可能需要多达20%的额定集电极电流以保证饱和度，而MOSFET需要的驱动电流则小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路驱动； 2、MOSFET
2012-01-06 22:55
晶体管），MOSFET（电力场效 应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）；3、不可控器件，例如电力二极管。二、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质
2017-01-19 20:49
`小库说：在平常的工作中，我们会遇到形形色色的问题 例如我们该如何测量电力电容器的绝缘电阻？电力电容器的绝缘电阻是指电力电容器的电极对其外壳的绝缘电阻。测量低压
2018-03-22 14:38
Si-MOSFET高。与Si-MOSFET进行替换时，还需要探讨栅极驱动器电路。与Si-MOSFET的区别：内部栅极电阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的内部栅极电
2018-11-30 11:34
版）实用电力电子技术丛书《MOSFET、IGBT驱动集成电路及应用》MOS管驱动电路总结电源中的MOSFET性能的四项关键测试PFC中开关mosfet驱动电路的设计与讲
2019-04-19 17:45
动作。ZVS和ZCS拓扑在降低MOSFET 和 IGBT的关断损耗方面很有优势。不过ZVS的工作优点在IGBT中没有那么大，因为当集电极电压上升到允许多余存储电荷进行耗散的电势值时，会引发拖尾冲击电流
2017-04-15 15:48
，IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类似。由基本的IGBT等效电路（见图1）可看出，完全调节PNP BJT集电极基极区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾（voltage tail）出现
2018-08-27 20:50
1.MOSFET的速度比晶体管或IGBT快。2.MOSFET的过电流适中；晶体管是一个流控流型的，要使集电极上的电流增大，基极上的电流就要增大，但是基极上的电流是无用的。IGBT一般使用在大电流的场景。...
2021-10-29 08:28
