第二代碳化硅MOSFET系列器件,比上一代器件在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的击穿电压强度,更低的损耗和
2023-05-29 10:16 国芯思辰(深圳)科技有限公司 企业号
(典型值),采用SOW-18(宽体)封装, 高达5000Vrms的隔离电压,适用于于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET等功率器件。BTD25350功
2023-11-30 09:42 国芯思辰(深圳)科技有限公司 企业号
一、行业背景众所周知,经济全球化正在快速推进,社会发展对电力质量的需求越来越明确,无论是电压波动,还是短时的停电都会造成巨大的损失。所以,通过电网改造在配电网中实现配电网自动化,为广大电力用户提供
2022-08-05 15:14 北京东用科技有限公司 企业号