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2023-12-13 10:33 国芯思辰(深圳)科技有限公司 企业号
(典型值),采用SOW-18(宽体)封装, 高达5000Vrms的隔离电压,适用于于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET等功率器件。BTD25350功
2023-11-30 09:42 国芯思辰(深圳)科技有限公司 企业号
要求。 本文推荐基本半导体第二代碳化硅MOSFET B2M065120Z用于工业电源,可以替代英飞凌IMZ120R060M1H,安森美NVH4L070N
2023-06-17 10:59 国芯思辰(深圳)科技有限公司 企业号