1、电压负载 在具有直流稳压大功率电路的应用中，通常首先考虑选择漏源电压VDS。这里的理由是，在实际工作环境中，MOSFE
2021-11-12 08:12
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。关于雪崩击穿问题将在雪崩能量的相关章节专门的讨论。 图1：BVDSS测试电路功率MOS
2016-09-06 15:41
使用在反向电压模式下连接的电流输出DAC的电流源
2019-07-26 08:44
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 编辑 反相电压放大（共发射极（共源极）电路），输入电压（电流）增加，输出电压下降。是因为管压降低了，相
2012-07-09 17:45
标题好长，总之就是这个模块的设置与使用啦做电力电子仿真的时候主要有两种电压源，一种是这样的，可以设置电感电阻等参数还有一种就是我今天要讲的理想三相电压
2021-12-29 08:21
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的
2016-10-10 10:58
N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。
2011-08-17 14:18
1中的t1），源极电压（VGS）正接近MOSFET的阈值电压，VTH和漏电流为零。因此，在此期间的功率损耗为零。在t2时段，MO
2022-11-16 08:00
文章目录1 理想电压源和实际电压源1.1 理想电压源和实际
2021-12-31 06:56
电压源：1.n个电压源串联等效于一个电压源，
2021-12-27 08:31
